P6 - Nanostrukturierte Dünnschicht-Schottky-Fotodioden für SWIR
- Event
- iCCC2026 - iCampus Cottbus Conference
2026-05-05 - 2026-05-07
Cottbus - Band
- Poster
- Chapter
- Bio- & Umweltsensorik
- Author(s)
- L. Shala, J. Knobbe, L. Augel - Fraunhofer IPMS, Cottbus, L. Shala, L. Augel - BTU Cottbus-Senftenberg, Cottbus
- Pages
- 143 - 146
- DOI
- 10.5162/iCCC2026/P6
- ISBN
- 978-3-910600-10-2
- Price
- free
Abstract
Silizium-basierte Schottky Fotodioden liefern einen Schnittpunkt zwischen Fotodetektion im SWIR-Bereich und einer CMOS-Kompatibilität, welche sie zu einem Bauelement von aktuellem Interesse macht. Mittels Verwendung einer Dünnschicht im Bereich von 10 – 20 nm als Schottky-Metall sowie einer pyramidalen Nanostrukturierung des Substrates können in vielversprechender Weise die interne sowie externe Quanteneffizienz verbessert werden. Ob man das Sputtern oder die pCVD als Abscheidemethode zum Aufbringen des Schottky-Metalls auf das Substrat wählt, hat einen Einfluss auf die Qualität der Schottky-Barriere. Der Einfluss der Abscheidemethode, der Schichtdicke des Schottky-Metalls sowie der Strukturierung des Substrats auf die Schottky-Barrierequalität wird mittels temperaturabhängiger Strom-SpannungsMessungen analysiert.