P44 - In-situ-Ätzkontrolle für vertikale GaN-basierte Leistungsbauelemente...
- Event
- iCCC2026 - iCampus Cottbus Conference
2026-05-05 - 2026-05-07
Cottbus - Band
- Poster
- Chapter
- Material- & Prozesstechnologie
- Author(s)
- R. -S. Unger, F. Brunner, E. Brusaterra, O. Krüger - FBH Ferdinand-Braun-Institut, Berlin, K. Haberland - LayTec AG, Berlin, S. Peters - Sentech Instruments GmbH, Berlin
- Pages
- 297 - 300
- DOI
- 10.5162/iCCC2026/P44
- ISBN
- 978-3-910600-10-2
- Price
- free
Abstract
Für die Herstellung vertikaler Leistungsschaltbauelemente auf GaN-Basis sind präzise Endpunktdetektionsverfahren für die verwendeten Trockenätzprozesse erforderlich. Eine besondere Herausforderung ist hierbei der geringe Materialkontrast der homoepitaktischen Schichtstapel in den optischen Parametern n und k für verschieden dotierte GaN-Epitaxiestrukturen, die beim Durchätzen nur geringe Unterschiede in den gemessenen Reflektivitäten erwarten lassen. Um das elektronische Verhalten der Driftzone und des p-n-Übergangs in vertikalen GaN-Transistoren zu untersuchen, wurden GaN-Schichten mit unterschiedlichen Dotierkonzentrationen mittels MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) gewachsen. Mit Hilfe eines LayTec TRIton in-situ Messsystems mit einer Detektionswellenlänge von 365 nm ist es beim Durchätzen gelungen, Übergänge von unterschiedlich dotierten Bereichen im Epitaxie-Stapel zu erkennen. Die beobachteten Ätztransienten lassen sich qualitativ durch das temperaturabhängige Absorptionsverhalten an der GaN-Bandlücke und den gemessenen Exzitonen-Peak in spektroskopischen Ellipsometermessungen erklären.